在 ISSCC 2021 国际固态电路会议上，台积电联席 CEO 刘德音公布了该公司的最新工艺进展情况，指出 3nm 工艺超过预期，进度将会提前。不过刘德音没有公布 3nm 工艺到底如何超前的，按照他们公布的信息，3nm 工艺是今年下半年试产，2022 年正式量产。
与三星在 3nm 节点激进选择 GAA 环绕栅极晶体管工艺不同，台积电的第一代 3nm 工艺比较保守，依然使用 FinFET 晶体管。
与 5nm 工艺相比，台积电 3nm 工艺的晶体管密度提升 70%，速度提升 11%，或者功耗降低 27%。
不论是 5nm 还是 3nm 工艺，甚至未来的 2nm 工艺，台积电表示 EUV 光刻机的重要性越来越高，但是产能依然是 EUV 光刻的难题，而且能耗也很高。
刘德音提到，台积电已经 EUV 光源技术获得突破，功率可达 350W，不仅能支持 5nm 工艺，甚至未来可以用于 1nm 工艺。
按照台积电提出的路线图，他们认为半导体工艺也会继续遵守摩尔定律，2 年升级一代新工艺，而 10 年则会有一次大的技术升级。
注意事项：
1、资源遇到是一堆字母与数字组合的，复制到电脑版的xunlei或BT新建下载即可。
2、度盘的资源容易失效，失效一般补不了，请理解！
3、如果支付后没有自动跳转，请等一两分钟让它自动跳转后再刷新看看，还不行的话请联系退款。
4、百家姓转换
免责声明：本站文章采用创作共用版权 CC BY-NC-ND/2.5/CN 许可协议，文章及资源均来自互联网收集，仅供用于学习和交流，请遵循相关法律法规，本站一切资源不代表本站立场！！！
